TRẦN GIA - GIẢI PHÁP TOÀN DIỆN VỀ CHỐNG SÉT

Cách phân biệt kim thu sét theo công nghệ phóng điện sớm ESE và kim thu sét dạng Franklin ?

1.      Xét theo khía canh công nghệ chế tạo.

Kim thu sét theo công nghệ phát xạ sớm được sản xuất theo một trong 03 công nghệ sau đây

- Công nghệ SG (Spark Gap)

- Công nghệ Di-Eletrical (I ôn hóa môi trường xung quanh)

- Công nghệ phát xạ sớm có điều chỉnh

Trong khi đó kim thu sét theo dạng Franklin sản xuất chỉ là một đầu nhọn tập trung điện tích tại vị trí đầu nhọn.

2.      Trên phương diện vật liệu chế tạo.

Kim thu sét theo công nghệ phóng điện sớm ESE thường sử dụng vật liệu bằng Inox không gỉ như kim thu sét Ingesco, hoặc đỉnh kim bằng Inox các tấm Panel làm từ hợp kim nhôm kim thu sét Stormaster

Kim thu sét dạng Franklin vật liệu bằng sắt, sắt mạ kẽm, đồng vàng, đồng đỏ,…Kích thước ø 14 hoặc lớn hơn.

3.      Cách tính vùng bán kính bảo vệ.

Kim thu sét theo dạng Franklin sử dụng hình chóp nón để tính vùng bán kính bảo vệ kim thu sét với các góc tương ứng 60⁰, 45⁰, 30⁰

Trong khi đó vùng bán kính bảo vệ kim thu sét theo công nghệ phát xạ sớm theo tiêu chuẩn NFC17-102: 2011 hoặc theo tiêu chuẩn Úc AS1768 và kiểm nghiệm theo tiêu chuẩn IEC 60-1: 1989

Rp = √ [(2*r*h)-( h2)] + [Δ*(2*r+Δ)] đối với h ≥ 5m& Rp = h*Rp5/5 đối với 2m ≤ h ≤ 5m trong đó

h = Tính từ đỉnh kim tới điểm cần bảo vệ

Rp5 = Bán kính bảo vệ kim thu sét với h = 5m

r = 20m với mức bảo vệ Cấp I, cấp cực cao

r = 30m với mức bảo vệ cấp II, cấp cao

r = 40m với mức bảo vệ cấp III, cấp trung bình

r = 60m với mức bảo vệ cấp IV, cấp tiêu chuẩn

Δ = độ lợi về thời gian tạo ra đường dẫn sét của kim thu sét phát xạ sớm. Đại lượng này được xác định khi so sánh thời gian tạo ra đường dẫn sét phía trên của kim thu sét phát tia tiên đạo với thời gian tạo ra đường dẫn lên củakim thu sét thông thường trong cùng một điều kiện sét ∆ = Tsk - Tese

Trong đó Tsk = thời gian tạo ra đường dẫn sét lên trên đối với kim thu sét thông thường